MOSFET sencillos, N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 6 A, Mejora, TSMT-3 de 3 pines
- Código RS:
- 646-556P
- Referência do fabricante:
- RQ5G060BGTCL
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 250 para poupar 6,25 €
Ver preços por quantidadeSubtotal 100 unidades (fornecido em tira contínua)*
24,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 90 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 100 - 240 | 0,246 € | - |
| 250 - 990 | 0,221 € | 6,25 € |
| 1000 - 4990 | 0,179 € | 67,00 € |
| 5000 + | 0,174 € | 360,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 646-556P
- Referência do fabricante:
- RQ5G060BGTCL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | RQ5 | |
| Encapsulado | TSMT-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.0W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie RQ5 | ||
Encapsulado TSMT-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.0W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de ROHM de canal N con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de 40 V y 6 A de potencia tiene una baja resistencia de encendido, un pequeño encapsulado de montaje superficial tipo TSMT3, un chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas.
Sin halógenos
Rg 100 % y probado para UIS