MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal 100 unidades (fornecido em tira contínua)*

64,70 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 90 unidade(s) para enviar a partir do dia 21 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
100 - 4900,647 €
500 - 9900,58 €
1000 +0,458 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
646-543P
Referência do fabricante:
RD3L03BBJHRBTL
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.5mm

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Anchura

6.8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de potencia de canal P de 60 voltios y 29 amperios de ROHM dispone de chapado sin plomo y cumple con la restricción de sustancias peligrosas. Está sometido al 100 % de prueba de avalancha.

Baja resistencia a la conexión

con cualificación AEC-Q101

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.