MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT012W90G3-4AG, VDSS 900 V, ID 110 A, Mejora de 4 pines
- Código RS:
- 482-970
- Referência do fabricante:
- SCT012W90G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
30,30 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 30 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 30,30 € |
| 5 + | 29,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 482-970
- Referência do fabricante:
- SCT012W90G3-4AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Altura | 5mm | |
| Longitud | 21mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Altura 5mm | ||
Longitud 21mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo de alimentación MOSFET en carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
con cualificación AEC-Q101
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W120G3-4AG, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4AG, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT055W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT027W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT020W120G3-4AG, VDSS 1200 V, ID 100 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT015W120G3-4AG, VDSS 1200 V, ID 29 A, Mejora de 4 pines