MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STK615N4F8AG, VDSS 40 V, ID 672 A, PowerLeaded, Mejora de 4 pines, config. Canal
- Código RS:
- 358-981
- Referência do fabricante:
- STK615N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
3,31 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,31 € |
| 10 - 99 | 2,98 € |
| 100 - 499 | 2,75 € |
| 500 - 999 | 2,56 € |
| 1000 + | 2,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 358-981
- Referência do fabricante:
- STK615N4F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Frecuencia de Funcionamiento | 1 MHz | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 672A | |
| Potencia de salida | 390W | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerLeaded | |
| Serie | STK615 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 1.85mm | |
| Anchura | 8.15 mm | |
| Longitud | 8.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Frecuencia de Funcionamiento 1 MHz | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 672A | ||
Potencia de salida 390W | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerLeaded | ||
Serie STK615 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 1.85mm | ||
Anchura 8.15 mm | ||
Longitud 8.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de potencia con canal N en modo de mejora de STMicroelectronics está diseñado con tecnología STripFET F8 y cuenta con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una figura de mérito de vanguardia para una resistencia en estado activo muy baja, al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Cualificado AEC Q101
Grado MSL1
175 ºC de temperatura de unión máxima de funcionamiento
100 % a prueba de avalanchas
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 65 V, B4E, Mejora de 4 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 90 V, LBB, Mejora de 5 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 160 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 54 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics RF3L05250CB4, VDSS 90 V, LBB, Mejora de 5 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E, Mejora de 4 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STHU60N046DM9AG, VDSS 600 V, ID 54 A, HU3PAK, Mejora de 7 pines, config. Canal N