MOSFET, N-Canal Infineon IGOT65R045D2AUMA1, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, PG-DSO-20 de 20 pines
- Código RS:
- 351-880
- Referência do fabricante:
- IGOT65R045D2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 351-880
- Referência do fabricante:
- IGOT65R045D2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGOT65 | |
| Encapsulado | PG-DSO-20 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 20 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.054Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 109W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGOT65 | ||
Encapsulado PG-DSO-20 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 20 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.054Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 109W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- ID
Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado DSO refrigerado por la parte superior, está diseñado para una disipación de potencia óptima en diversas aplicaciones industriales.
Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta, baja carga de salida
Mayor robustez de conmutación
RDS(on) dinámica baja
Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Encapsulado refrigerado por la parte superior
Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)
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