MOSFET, N-Canal Infineon IMBG65R007M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 238 A, Mejora, PG-TO263-7 de 7 pines
- Código RS:
- 349-322
- Referência do fabricante:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-322
- Referência do fabricante:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 238A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 179nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 789W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 238A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 179nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 789W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 238 A - IMBG65R007M2HXTMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de carburo de silicio diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia de alta tensión. Funciona en un amplio rango ambiente, por lo que es adecuado para entornos térmicos exigentes, y se suministra en un encapsulado de potencia de montaje en superficie para su integración en conjuntos compactos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 8,5 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción para mayor eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 238 A admite cargas de corriente pesada
• La disipación de potencia máxima de 789 W soporta un estrés térmico significativo
• La carga de puerta típica de 179 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• El encapsulado de montaje en superficie PG-TO263-7 facilita el montaje de PCB para la producción en masa
• La Rds(on) de 8,5 mΩ proporciona bajas pérdidas de conducción para mayor eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 238 A admite cargas de corriente pesada
• La disipación de potencia máxima de 789 W soporta un estrés térmico significativo
• La carga de puerta típica de 179 nC permite requisitos de accionamiento de puerta predecibles
• El encapsulado de montaje en superficie PG-TO263-7 facilita el montaje de PCB para la producción en masa
Aplicaciones
• Apto para inversores en sistemas de alimentación industriales
• Ideal para accionamientos de motor de alta potencia y convertidores de tracción
• Se utiliza con convertidores de energía renovable y optimizadores de potencia
• Se puede utilizar para etapas de conversión dc-dc de alta tensión
• Se emplea en fuentes de alimentación ininterrumpida y sistemas de red
• Ideal para accionamientos de motor de alta potencia y convertidores de tracción
• Se utiliza con convertidores de energía renovable y optimizadores de potencia
• Se puede utilizar para etapas de conversión dc-dc de alta tensión
• Se emplea en fuentes de alimentación ininterrumpida y sistemas de red
¿Qué rango térmico puede tolerar en instalaciones exigentes?
Está diseñado para funcionar de –55 a 175 °C, lo que permite su funcionamiento en entornos de temperaturas extremas.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse para un funcionamiento seguro?
La tensión de puerta a fuente no debe exceder los 23 V para evitar sobrecargar la estructura de la puerta.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para considerar la disposición de la placa de circuito impreso?
El componente utiliza una configuración de siete contactos que se adapta a la colocación de montaje en superficie estándar.
¿Es este dispositivo adecuado para requisitos de certificación específicos de automoción?
No está clasificado bajo estándares de grado de automoción, pero cumple con RoHS.
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