MOSFET, N-Canal Infineon IPW60R037CM8XKSA1, VDSS 600 V, ID 64 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 349-266
- Referência do fabricante:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
9,23 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 240 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 9,23 € |
| 10 - 99 | 8,32 € |
| 100 - 499 | 7,67 € |
| 500 - 999 | 7,10 € |
| 1000 + | 6,35 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-266
- Referência do fabricante:
- IPW60R037CM8XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 329W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 329W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie IPW de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 64 A - IPW60R037CM8XKSA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para funciones de conmutación de potencia y convertidor en entornos industriales. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado de orificio pasante PG-TO-247 adecuado para métodos convencionales de disipación y montaje. El dispositivo está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente considerable y características de accionamiento de puerta robustas, al tiempo que se ajusta a los estándares de fabricación del sector.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje de 600 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 64 A para un funcionamiento de carga pesada
• RDS(on) de 37 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 329 W para un rendimiento térmico sostenido
• Carga de puerta típica de 79 nC que permite requisitos de accionamiento predecibles
• Corriente de drenaje continua de 64 A para un funcionamiento de carga pesada
• RDS(on) de 37 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 329 W para un rendimiento térmico sostenido
• Carga de puerta típica de 79 nC que permite requisitos de accionamiento predecibles
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación y etapas de convertidor dc-dc
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con fuentes de alimentación conmutadas de media a alta potencia
• Se puede utilizar para circuitos de inversor industrial y SAI
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con fuentes de alimentación conmutadas de media a alta potencia
• Se puede utilizar para circuitos de inversor industrial y SAI
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir?
El dispositivo presenta una carga de puerta típica de 79 nC, por lo que los controladores deben proporcionar una transferencia de carga suficiente a la frecuencia de conmutación deseada para lograr las velocidades de transición deseadas y minimizar las pérdidas de conmutación.
¿Cómo afecta el rango térmico a las opciones de despliegue?
Con un rango de funcionamiento de –55 a 150 °C, se puede utilizar en entornos con amplias fluctuaciones de temperatura, lo que permite su colocación cerca de los componentes generadores de calor cuando se proporciona una refrigeración adecuada.
¿Qué enfoque de montaje y gestión térmica es adecuado?
El formato de orificio pasante PG-TO-247 admite disipadores térmicos estándar y montaje roscado
garantizar un material de interfaz térmica adecuado y un diseño térmico de PCB deliberado para aprovechar la capacidad de disipación de 329 W.
¿Hay límites en las tensiones de puerta o drenaje para un funcionamiento seguro?
El valor nominal máximo de puerta a fuente es de 20 V y el valor nominal máximo de drenaje a fuente es de 600 V, por lo que los diseños de sistemas deben evitar excursiones por encima de estos umbrales para evitar la tensión del dispositivo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R026M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 64 A, PG-TO-247, Mejora de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R050M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMW65R040M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW95R130PFD7XKSA1, VDSS 950 V, ID 36.5 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines