MOSFET, N-Canal Infineon IMWH170R450M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 10 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- Código RS:
- 349-109
- Referência do fabricante:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
8,42 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 240 unidade(s) a partir do dia 07 de abril de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,42 € |
| 10 - 99 | 7,58 € |
| 100 - 499 | 7,00 € |
| 500 - 999 | 6,48 € |
| 1000 + | 5,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-109
- Referência do fabricante:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 390mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 390mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie CoolSiC de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 1700 V, corriente de drenaje continua de 10 A - IMWH170R450M1XKSA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de carburo de silicio diseñado para conmutación de alta tensión en sistemas electrónicos exigentes. Funciona como dispositivo de mejora de canal N en un encapsulado de 3 pines PG‐TO‐247 de orificio pasante, lo que permite un montaje sencillo y la gestión térmica de las etapas de potencia. El dispositivo es adecuado para entornos que requieren una amplia tolerancia a la temperatura y una construcción conforme con RoHS.
Características y ventajas:
• La capacidad nominal de drenaje y fuente de 1700 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 10 A admite un flujo de potencia sostenido
• La disipación de potencia máxima de 111 W mejora el manejo del calor en las aplicaciones
• La Rds(on) de 390 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 11,7 nC permite una energía de conmutación predecible
• La resistencia de fuente de puerta de ±15 V simplifica el diseño de tensión de accionamiento
• La corriente de drenaje continua de 10 A admite un flujo de potencia sostenido
• La disipación de potencia máxima de 111 W mejora el manejo del calor en las aplicaciones
• La Rds(on) de 390 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 11,7 nC permite una energía de conmutación predecible
• La resistencia de fuente de puerta de ±15 V simplifica el diseño de tensión de accionamiento
Aplicaciones
• Apto para topologías de convertidores de alta tensión en fuentes de alimentación
• Ideal para sistemas de alimentación de modo conmutado en equipos industriales
• Se utiliza con inversores de potencia que requieren una alta tensión de ruptura
• Se puede utilizar para etapas de conmutación dura en electrónica de accionamiento de motores
• Útil para prototipos de laboratorio donde se prefiere el montaje en orificio pasante
• Ideal para sistemas de alimentación de modo conmutado en equipos industriales
• Se utiliza con inversores de potencia que requieren una alta tensión de ruptura
• Se puede utilizar para etapas de conmutación dura en electrónica de accionamiento de motores
• Útil para prototipos de laboratorio donde se prefiere el montaje en orificio pasante
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar en funcionamiento?
Funciona en un amplio rango de temperaturas de –55 a 175 °C, por lo que se adapta a condiciones térmicas exigentes.
¿Cuántos contactos y qué estilo de montaje utiliza?
El componente tiene tres contactos y un montaje en orificio pasante en un encapsulado PG-TO-247 de 3 contactos para fijación de PCB.
¿Qué conformidad o homologación se aplica a este dispositivo?
Cumple los requisitos RoHS para sustancias restringidas.
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de puerta a fuente no debe superar ±15 V (15 V en magnitud) para evitar la tensión del dispositivo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMWH170R1K0M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 5.4 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMWH170R650M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 7.5 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- Infineon IGBT, IKWH40N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 650 V, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKWH100N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 650 V, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKWH50N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 650 V, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKWH75N65EH7XKSA1, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO-247-3-STD-NN4,8, 3 pines Orificio pasante
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMZH120R160M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 17 A, Mejora, PG-TO-247-4-STD-NT6,7 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AIMZH120R040M1TXKSA1, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, PG-TO-247-4-STD-NT6,7 de 4 pines