MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMWH170R450M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 10 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- Código RS:
- 349-109
- Referência do fabricante:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-109
- Referência do fabricante:
- IMWH170R450M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 390mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Serie CoolSiC | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 390mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este CoolSiC 1700 V SiC Trench de Infeneon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una conmutación de potencia eficiente. Es compatible con una tensión de fuente de puerta de 12 V/0 V, lo que lo hace adecuado para su uso con la mayoría de los controladores flyback. Con una tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,5 V, garantiza un rendimiento de conmutación fiable y eficiente en una amplia gama de aplicaciones de potencia. Este MOSFET es una elección excelente para sistemas que requieren un funcionamiento a alta tensión y una mayor eficiencia energética.
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