MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMWH170R1K0M1XKSA1, VDSS 1700 V, ID 5.4 A, Mejora, PG-TO-247-3-STD-NN4,8 de 3 pines
- Código RS:
- 349-108
- Referência do fabricante:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 349-108
- Referência do fabricante:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 880mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 70W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 15 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Encapsulado PG-TO-247-3-STD-NN4,8 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 880mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 70W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 15 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este CoolSiC 1700 V SiC Trench de Infeneon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento diseñado para una conmutación de potencia eficiente. Es compatible con una tensión de fuente de puerta de 12 V/0 V, lo que lo hace adecuado para su uso con la mayoría de los controladores flyback. Con una tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,5 V, garantiza un rendimiento de conmutación fiable y eficiente en una amplia gama de aplicaciones de potencia. Este MOSFET es una elección excelente para sistemas que requieren un funcionamiento a alta tensión y una mayor eficiencia energética.
Pérdidas por conmutación muy bajas
Dv/dt totalmente controlable para optimización de EMI
Tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su categoría
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