MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUCN04S7N030ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8-33 de 8 pines
- Código RS:
- 349-016
- Referência do fabricante:
- IAUCN04S7N030ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
19,46 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 5000 unidade(s) a partir do dia 17 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,973 € | 19,46 € |
| 200 - 480 | 0,924 € | 18,48 € |
| 500 + | 0,856 € | 17,12 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 349-016
- Referência do fabricante:
- IAUCN04S7N030ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-33 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.93mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 58W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Encapsulado PG-TDSON-8-33 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.93mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 58W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie IAU de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 100 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V - IAUCN04S7N030ATMA1
Este MCB es un disyuntor de 4 polos diseñado para proporcionar una protección eléctrica robusta. Dispone de una corriente nominal de 2 A y es adecuado para aplicaciones ac y dc, manejando tensiones de hasta 880 V dc y 400 V ac. Con dimensiones de 72 mm de ancho y 76 mm de profundidad, este MCB de montaje en carril DIN incorpora características de disparo avanzadas de tipo C, lo que garantiza la interrupción oportuna del flujo eléctrico en caso de sobrecargas.
Características y ventajas
• Alta capacidad de ruptura de 10 kA para una protección de circuito fiable
• Adecuado para montaje en carril DIN para una instalación simplificada
• Diseñado para configuración de 4 polos que mejora las aplicaciones multifásicas
• Eficaz para uso ac y dc hasta 880 V
• La interfaz de terminal roscado garantiza conexiones seguras y fáciles
• Construcción sin halógenos y sin silicio para mejorar la seguridad
Aplicaciones
• Se utiliza en sistemas de automatización industrial para mejorar la seguridad del circuito
• Efectivo en placas de distribución eléctrica para una protección eficaz
• Se utiliza con maquinaria que requiere protección contra sobrecarga en varias fases
• Integrado en sistemas de energía renovable que funcionan a altas tensiones
• Adecuado para paneles eléctricos en instalaciones comerciales y residenciales
¿Cuáles son las tolerancias ambientales específicas para el funcionamiento y el almacenamiento?
Este disyuntor está diseñado para funcionar dentro de una temperatura. Se puede almacenar en entornos que oscilan entre -40 °C y 75 °C, manteniendo su funcionalidad incluso en climas hostiles.
¿Cómo influye la característica de disparo en el rendimiento de este dispositivo?
La característica de disparo de tipo C proporciona una protección óptima al permitir sobrecargas breves comunes en aplicaciones de inducción mientras se dispara bajo sobrecargas sostenidas, lo que protege el equipo conectado sin disparos molestos durante las operaciones normales.
¿Qué estándares eléctricos cumple este disyuntor?
Este dispositivo cumple los estándares IEC / EN 60898-2 y UL1077, lo que confirma su fiabilidad y seguridad en instalaciones eléctricas al tiempo que garantiza el cumplimiento de las normativas internacionales.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUCN04S7L028ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, PG-TDSON-8-33 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUCN04S7L019ATMA1, VDSS 40 V, ID 144 A, Mejora, PG-TDSON-8-33 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IAUCN04S7N020ATMA1, VDSS 40 V, ID 139 A, Mejora, PG-TDSON-8-33 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC110N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC073N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 86 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC104N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 63 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC035N10NM5LF2ATMA1, VDSS 100 V, ID 164 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC16DP15LMATMA1, VDSS 150 V, ID -22 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines