MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60T010S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 174 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- Código RS:
- 351-944
- Referência do fabricante:
- IPDQ60T010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 351-944
- Referência do fabricante:
- IPDQ60T010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 174A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-22 | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101 | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 174A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-22 | ||
Serie IPDQ60 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101 | ||
Longitud 15.1mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El CoolMOS S7TA de Infineon con sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, a la vez que facilita la implementación y seguridad funcional. El dispositivo está optimizado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y alta corriente. Es ideal para relés de estado sólido, desconexión de baterías y fusibles electrónicos.
Pérdidas de conducción minimizadas
Mayor rendimiento del sistema
Permite un diseño más compacto respecto a los EMR
Menor TCO durante un tiempo prolongado
Diseños con mayor densidad de potencia
Reducción de elementos sensores externos
Mejor utilización del transistor de potencia
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