MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 80 V, ID 6 A, TO-220FP de 3 pines

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Código RS:
330-466
Referência do fabricante:
STF80N900K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-220FP

Serie

STF

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Disipación de potencia máxima Pd

21.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

30.6mm

Altura

4.6mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Carga de puerta ultrabaja

Protección Zener

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