MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML2803TRPBF, VDSS 30 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 302-022
- Número do artigo Distrelec:
- 304-36-995
- Referência do fabricante:
- IRLML2803TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
1,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 545 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 6000 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,36 € | 1,80 € |
| 50 - 245 | 0,304 € | 1,52 € |
| 250 - 495 | 0,236 € | 1,18 € |
| 500 - 1245 | 0,184 € | 0,92 € |
| 1250 + | 0,16 € | 0,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 302-022
- Número do artigo Distrelec:
- 304-36-995
- Referência do fabricante:
- IRLML2803TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 540mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 540mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 1,2A, disipación de potencia máxima de 540 mW - IRLML2803TRPBF
Este MOSFET de canal N ofrece un mayor rendimiento y fiabilidad para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Diseñado con tecnología Hexfet, funciona eficazmente en configuraciones de montaje superficial, lo que lo hace idóneo para diseños compactos en los sectores eléctrico y de automatización. La combinación de una RDS(on) baja y una corriente de drenaje continua alta favorece una gestión óptima de la energía en diversas condiciones.
Características y ventajas
• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 1,2 A para un rendimiento eficaz
• El alto voltaje máximo de drenaje-fuente de 30 V permite un uso versátil
• La baja resistencia de drenaje-fuente máxima de 250mΩ minimiza las pérdidas de potencia
• El funcionamiento en modo de mejora permite una conmutación eficaz
• El compacto encapsulado SOT-23 es ideal para aplicaciones con limitaciones de espacio
• Funciona a altas temperaturas, con una temperatura máxima de +150°C
Aplicaciones
• Utilizados en convertidores CC-CC para una gestión eficaz de la energía
• Se emplea en circuitos de control de motores para mejorar la precisión
• Adecuado para la conmutación de fuentes de alimentación en electrónica de consumo
• Integración en sistemas de automatización para una gestión eficaz de la carga
¿Cuál es la tensión de puerta óptima para el funcionamiento?
La tensión de puerta óptima para este dispositivo es de +10 V, lo que permite una conmutación y un rendimiento eficientes.
¿Cómo se comporta a altas temperaturas?
Este componente puede funcionar a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en condiciones térmicas.
¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?
Sí, soporta corrientes de drenaje pulsadas significativamente por encima de los valores nominales continuos, dando cabida a picos de corriente cortos.
¿Qué tipo de montaje se recomienda para este dispositivo?
El montaje en superficie es el tipo recomendado, ya que proporciona un mejor rendimiento térmico y eficiencia de espacio en los diseños de circuitos.
¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?
Una gestión térmica adecuada y el cumplimiento de los valores nominales máximos son necesarios para evitar daños durante el funcionamiento.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML2060TRPBF, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLML2402TRPBF, VDSS 20 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXMN6A07FTA, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines