MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF17MR12W1M1HB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B, Mejora de 23 pines
- Código RS:
- 284-822
- Referência do fabricante:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
84,42 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 24 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 84,42 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 284-822
- Referência do fabricante:
- FF17MR12W1M1HB11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | EasyDUAL | |
| Encapsulado | AG-EASY1B | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Número de pines | 23 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.149μC | |
| Tensión directa Vf | 5.35V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie EasyDUAL | ||
Encapsulado AG-EASY1B | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Número de pines 23 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.149μC | ||
Tensión directa Vf 5.35V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo MOSFET de Infineon representa un avance significativo en la tecnología de semiconductores de potencia, diseñado para satisfacer las demandas rigurosas de las aplicaciones de conmutación de alta frecuencia. Este innovador módulo incorpora MOSFET de trinchera CoolSiC, lo que proporciona una eficiencia y fiabilidad inigualables. Con un diseño robusto adaptado a aplicaciones industriales, garantiza bajas pérdidas de conmutación y un excelente rendimiento térmico. La tecnología de contacto PressFIT integrada simplifica la instalación al tiempo que mantiene una conexión segura. Este módulo es una elección ideal para aplicaciones como convertidores dc/dc y sistemas UPS, revolucionando la gestión de energía con su construcción compacta y duradera.
El diseño inductivo bajo optimiza el rendimiento dinámico
El sensor de temperatura integrado mejora la seguridad
El montaje robusto garantiza la fiabilidad en entornos exigentes
Calificación para aplicaciones industriales conforme a los estándares IEC
Ideal para cargar dc en vehículos eléctricos
Instalación simplificada con tecnología PressFIT
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FF17MR12W1M1HB11BPSA1, VDSS 1200 V, ID 50 A, AG-EASY1B, Mejora de 23 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 1200 V, ID 15 A, AG-EASY1B, Mejora de 8 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS55MR12W1M1HB11NPSA1, VDSS 1200 V, ID 15 A, AG-EASY1B, Mejora de 8 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 1200 V, ID 150 A, AG-EASY1BS-1
- MOSFET Infineon FF08MR12W1MA1B11ABPSA1, VDSS 1200 V, ID 150 A, AG-EASY1BS-1
- Infineon IGBT, 35 A, 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon IGBT, FS35R12W1T7B11BOMA1, 35 A, 1200 V, AG-EASY1B-711
- Infineon IGBT Trifásico, 35 A, 1200 V, AG-EASY1B-711 Chasis