MOSFET, N-Canal ROHM RV7E040AJTCR1, VDSS 30 V, Mejora, DFN1212-3 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 fita de 25 unidades)*

5,65 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 100 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Fita*
25 - 750,226 €5,65 €
100 - 2250,215 €5,38 €
250 - 4750,199 €4,98 €
500 - 9750,183 €4,58 €
1000 +0,177 €4,43 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
265-381
Referência do fabricante:
RV7E040AJTCR1
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

RV7

Encapsulado

DFN1212-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.0nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.2mm

Longitud

1.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET ROHM está diseñado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Alojado en un encapsulado de plástico SMD ultrapequeño sin plomo de 1,2x1,2x0,5 mm con una almohadilla de drenaje expuesta, ofrece una excelente conducción térmica, garantizando un rendimiento eficiente en diseños electrónicos compactos.

Conforme con RoHS

Resistencia de conexión baja

Revestimiento de plomo sin plomo

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.