MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 650 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal 100 unidades (fornecido em tira contínua)*

54,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 40 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
100 - 2400,545 €
250 - 4900,504 €
500 - 9900,464 €
1000 +0,448 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
265-280P
Referência do fabricante:
R6502END3TL1
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

R65

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.0Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET ROHM es un MOSFET Super Junction de bajo ruido, que hace hincapié en la facilidad de uso. Los productos de esta serie consiguen un rendimiento superior en aplicaciones sensibles al ruido para reducirlo, como equipos de audio e iluminación.

Revestimiento de plomo sin plomo

Conforme con RoHS

Conmutación rápida

Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos

El uso en paralelo es fácil

Resistencia de conexión baja

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.