MOSFET ROHM, N-Canal RJ1P10BBHTL1, VDSS 100 V, ID 170 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1

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Opções de embalagem:
Código RS:
264-878P
Referência do fabricante:
RJ1P10BBHTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263AB

Serie

RJ1

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.0mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

189W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

135nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

1

El MOSFET de potencia ROHM Nch 100V 170A TO-263AB con baja resistencia a la conexión y alta potencia en encapsulado de molde pequeño, adecuado para conmutación.

Baja resistencia de conexión

Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (TO263AB)

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

100% probado por la UIS

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