MOSFET ROHM, Tipo N-Canal UT6KE5TCR, VDSS 100 V, HUML2020L8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-564
- Referência do fabricante:
- UT6KE5TCR
- Fabricante:
- ROHM
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| 250 - 475 | 0,259 € | 6,48 € |
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- Código RS:
- 264-564
- Referência do fabricante:
- UT6KE5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HUML2020L8 | |
| Serie | UT6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 207mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HUML2020L8 | ||
Serie UT6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 207mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de doble canal N de 100 V y 2,0 A de ROHM en un encapsulado DFN2020-8D presenta una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y convertidores CC/CC. Integra dos MOSFET de 100 V en un diseño compacto de montaje superficial.
Baja resistencia
Envase pequeño de montaje en superficie
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos
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