MOSFET, N-Canal ROHM R8019KNXC7G, VDSS 800 V, ID 19 A, Mejora, TO-220FM de 3 pines

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Código RS:
264-561
Referência do fabricante:
R8019KNXC7G
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

19A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220FM

Serie

R80

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.265Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM 800V 19A en un encapsulado TO-220FM es un MOSFET de superunión de conmutación de alta velocidad diseñado para una alta eficiencia. Permite mejorar el rendimiento de los circuitos PFC y LLC al lograr una mayor eficiencia gracias a la conmutación de alta velocidad.

Baja resistencia

Conmutación rápida

El uso en paralelo es fácil

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

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