MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 69 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 163-0280
- Referência do fabricante:
- NTMFS4C06NT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
384,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,256 € | 384,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 163-0280
- Referência do fabricante:
- NTMFS4C06NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | NTMFS4C06N | |
| Encapsulado | SO-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie NTMFS4C06N | ||
Encapsulado SO-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS4C06NT1G, VDSS 30 V, ID 69 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 46 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 78 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 89 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 276 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D7N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 323 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTMFS005P03P8ZT1G, VDSS 30 V, ID 164 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS2D1N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
