MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia NSF060120D7A0J, VDSS 1200 V, ID 38.27 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 219-446
- Referência do fabricante:
- NSF060120D7A0J
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 219-446
- Referência do fabricante:
- NSF060120D7A0J
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38.27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NSF060120D7A0 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
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|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38.27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NSF060120D7A0 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia Nexperia SiC se presenta en un compacto encapsulado de plástico TO-263 de 7 patillas para montaje en superficie en placas de circuito impreso. Su excelente estabilidad térmica RDS(on) y su rápida velocidad de conmutación lo hacen ideal para aplicaciones industriales de alta potencia y alto voltaje, como infraestructuras de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y accionamientos de motores.
Rápida recuperación inversa
Rápida velocidad de conmutación
Pérdidas por desconexión independientes de la temperatura
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
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