MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R7-100BSEJ, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- Código RS:
- 219-348
- Referência do fabricante:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 1 unidade)*
4,34 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 790 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 800 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,34 € |
| 10 - 99 | 3,90 € |
| 100 + | 3,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 219-348
- Referência do fabricante:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | PSM | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 405W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 176nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 25°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie PSM | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 405W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 176nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 25°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de un RDS(on) muy bajo y un rendimiento de área de funcionamiento seguro mejorado. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de resistir corrientes de entrada altas y minimizar las pérdidas de I2R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen cambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.
SOA para un funcionamiento de modo lineal superior
Encapsulado LLFPAK88 para aplicaciones que requieren el máximo rendimiento
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R7-100BSEJ, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R8-100BSEJ, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R2-40YLBX, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R9-100YSFX, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R5-40YSDX, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R2-40YLDX, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R5-40YSBX, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 32 A, Mejora, LFPAK de 4 pines