MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN0R9-25YLDX, VDSS 25 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 fita de 1 unidade)*

2,84 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 1500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s)
Por Fita
1 - 92,84 €
10 - 992,56 €
100 - 4992,35 €
500 - 9992,17 €
1000 +1,96 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
219-307
Referência do fabricante:
PSMN0R9-25YLDX
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.85mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

238W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47.2nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Links relacionados