MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL125N10F8AG, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 214-995
- Referência do fabricante:
- STL125N10F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 214-995
- Referência do fabricante:
- STL125N10F8AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 125A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | STL125N10F8AG | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 125A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie STL125N10F8AG | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100 V de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una cifra de mérito de vanguardia para una resistencia de estado encendido muy baja al tiempo que reduce las capacidades internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Carga de compuerta baja Qg
Encapsulado de flanco húmedo
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