MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG, VDSS 1.2 kV, ID 33 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines
- Código RS:
- 214-972
- Referência do fabricante:
- SCTWA40N12G24AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 214-972
- Referência do fabricante:
- SCTWA40N12G24AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCTWA40N12G24AG | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 105mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 290W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie SCTWA40N12G24AG | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 290W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 2ª generación de ST. El dispositivo presenta una resistencia a la conexión por unidad de superficie notablemente baja y un rendimiento de conmutación muy bueno. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Clavija de detección de la fuente para aumentar la eficiencia
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