MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT070H120G3-7, VDSS 1200 V, ID 30 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 214-960
- Referência do fabricante:
- SCT070H120G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 214-960
- Referência do fabricante:
- SCT070H120G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 63mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 224W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 63mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 224W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 15.25mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.
Alto rendimiento de conmutación
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
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