MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD2HNK60Z, VDSS 600 V, ID 2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
151-935
Referência do fabricante:
STD2HNK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición Power MESH basada en tira bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta minimizada

Capacitancia intrínseca muy baja

Protección Zener

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