MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD4NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 3 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-900P
- Referência do fabricante:
- STD4NK80ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 200 - 480 | 1,402 € |
| 500 - 980 | 1,297 € |
| 1000 - 1980 | 1,196 € |
| 2000 + | 1,15 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-900P
- Referência do fabricante:
- STD4NK80ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Anchura | 6.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Anchura 6.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un dispositivo de alta tensión con canal N con protección Zener desarrollado utilizando la tecnología SuperMESH, una optimización del PowerMESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protegido por Zener