MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD4NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-440
- Referência do fabricante:
- STD4NK60ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 20 unidades)*
8,22 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 2960 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,411 € | 8,22 € |
| 200 - 480 | 0,39 € | 7,80 € |
| 500 - 980 | 0,362 € | 7,24 € |
| 1000 - 1980 | 0,333 € | 6,66 € |
| 2000 + | 0,321 € | 6,42 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-440
- Referência do fabricante:
- STD4NK60ZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.34mm | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.34mm | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Protección Zener
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD4NK60ZT4, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines