MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN4NF20L, VDSS 200 V, ID 1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 151-425P
- Referência do fabricante:
- STN4NF20L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal 200 unidades (fornecido em bobina)*
96,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2600 unidade(s) para enviar a partir do dia 01 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 200 - 480 | 0,48 € |
| 500 - 980 | 0,442 € |
| 1000 - 1980 | 0,408 € |
| 2000 + | 0,393 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-425P
- Referência do fabricante:
- STN4NF20L
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | STN | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.3W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie STN | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.3W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La serie de MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el proceso STripFET, que está diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para usar como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados.
Capacidad dv/dt excepcional
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja