MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STL3NM60N, VDSS 600 V, ID 2.2 A, Mejora, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV de 8 pines
- Código RS:
- 151-423P
- Referência do fabricante:
- STL3NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 151-423P
- Referência do fabricante:
- STL3NM60N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las resistencias más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
100 % a prueba de avalancha
Capacitancia de entrada baja y carga de puerta