Referência do fabricante

Infineon AEC-Q100 Grados 2 y 3 Memoria flash NI, SPI S25FL127SABMFI100 128 MB, SOIC, 8 pines

Código RS:: 273-7480
Referência do fabricante:: S25FL127SABMFI100
Fabricante:: Infineon

Infineon AEC-Q100 Grados 2 y 3 Memoria flash NI, SPI S25FL127SABMFI100 128 MB, SOIC, 8 pines

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Código RS:: 273-7480
Referência do fabricante:: S25FL127SABMFI100
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tamaño de la memoria	128MB
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tipo de interfaz	SPI
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Frecuencia del reloj máxima	108MHZ
	Tipo de célula	NI
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Tensión de alimentación mínima	2.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	105°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	AEC-Q100 Grados 2 y 3
	Serie	S25FL127S
	Corriente de suministro	50mA

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	Marca Infineon
	Tamaño de la memoria 128MB
	Tipo de producto Memoria flash
	Tipo de interfaz SPI
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Frecuencia del reloj máxima 108MHZ
	Tipo de célula NI
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Tensión de alimentación mínima 2.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 105°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción AEC-Q100 Grados 2 y 3
	Serie S25FL127S
	Corriente de suministro 50mA

Datasheet - S25FL127SABMFI100

La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones móviles o integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en lugar. Al utilizar dispositivos FL-S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comando QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.

Núcleo CMOS de 3,0 V

Mínimo de 20 años de retención de datos

Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas

Opciones de control de hardware y software

Polaridad de reloj SPI y modos de fase 0 y 3

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