Infineon AEC-Q100 Grado 1 Memoria flash NI, SPI S25FL512SAGBHIA13 512 MB, 64MB, SOIC, 64 pines
- Código RS:
- 273-5401
- Referência do fabricante:
- S25FL512SAGBHIA13
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5401
- Referência do fabricante:
- S25FL512SAGBHIA13
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 512MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 64 | |
| Organización | 64MB | |
| Frecuencia del reloj máxima | 133MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 Grado 1 | |
| Serie | S25FL512S | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 512MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 64 | ||
Organización 64MB | ||
Frecuencia del reloj máxima 133MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 Grado 1 | ||
Serie S25FL512S | ||
- COO (País de Origem):
- US
La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en el lugar o XIP. Al utilizar dispositivos FL S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.
Encapsulado sin plomo
SPI con varias E/S
Protección de sector avanzada
Mínimo de 20 años de retención de datos
Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil
Mínimo de 100.000 ciclos de programación y borrado
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