Infineon AEC-Q1 Grado 1 Memoria flash NI, SPI S25FL256SAGNFI003 256 MB, 32MB, WSON, 8 pines
- Código RS:
- 273-5395
- Referência do fabricante:
- S25FL256SAGNFI003
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5395
- Referência do fabricante:
- S25FL256SAGNFI003
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 256MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | WSON | |
| Número de pines | 8 | |
| Organización | 32MB | |
| Frecuencia del reloj máxima | 133MHz | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente de suministro | 100mA | |
| Estándar de automoción | AEC-Q1 Grado 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 256MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado WSON | ||
Número de pines 8 | ||
Organización 32MB | ||
Frecuencia del reloj máxima 133MHz | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente de suministro 100mA | ||
Estándar de automoción AEC-Q1 Grado 1 | ||
- COO (País de Origem):
- US
La memoria Flash Infineon ofrece una alta densidad junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en lugar. Al utilizar dispositivos FL S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comando QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.
Protección de sector avanzada
Mínimo de 20 años de retención de datos
Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil
Opciones de control de hardware y software
Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas
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