Infineon AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Flash SPI Multi-E/S NI, SPI S25FL127SABMFI103 128 MB, 16MB, WSON, 8 pines

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Código RS:
273-5369
Referência do fabricante:
S25FL127SABMFI103
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

128MB

Tipo de producto

Flash SPI Multi-E/S

Tipo de interfaz

SPI

Encapsulado

WSON

Número de pines

8

Organización

16MB

Frecuencia del reloj máxima

108MHZ

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

105°C

Certificaciones y estándares

No

Serie

S25FL127S

Estándar de automoción

AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3

Corriente de suministro

50mA

COO (País de Origem):
CN
La memoria Flash Infineon ofrece una alta densidad junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en lugar. Al utilizar dispositivos FL S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comando QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.

Protección de sector avanzada

Mínimo de 20 años de retención de datos

Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil

Opciones de control de hardware y software

Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas

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