Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF010A-70-4I-NHE-T 1 MB, PLCC, 32 pines
- Código RS:
- 264-8847
- Referência do fabricante:
- SST39SF010A-70-4I-NHE-T
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 264-8847
- Referência do fabricante:
- SST39SF010A-70-4I-NHE-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 1MB | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | PLCC | |
| Número de pines | 32 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Tipo de temporización | Asíncrono | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Serie | SST39SF | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Corriente de suministro | 25mA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 1MB | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado PLCC | ||
Número de pines 32 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Tipo de temporización Asíncrono | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Serie SST39SF | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Corriente de suministro 25mA | ||
Estándar de automoción No | ||
El flash multipropósito Microchip CMOS (MPF) fabricado con tecnología de flash CMOS Super de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. El SST39SF010A escribe (programar o borrar) con una fuente de alimentación de 4,5-5,5 V y se ajusta a los contactos estándar JEDEC para memorias x8.
Fiabilidad superior: durabilidad de 100.000 ciclos (típica)
Retención de datos superior a 100 años
Compatibilidad de E/S TTL
Bajo consumo de potencia
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Conforme con RoHS
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