Microchip Memoria flash Doble puerta, SPI SST25VF080B-50-4C-S2AF-T 8 MB, SOIJ, 8 pines
- Código RS:
- 264-8833
- Referência do fabricante:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 264-8833
- Referência do fabricante:
- SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tamaño de la memoria | 8MB | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIJ | |
| Número de pines | 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Tipo de célula | Doble puerta | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.3V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, RoHS | |
| Corriente de suministro | 15mA | |
| Serie | SST25VF | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tamaño de la memoria 8MB | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIJ | ||
Número de pines 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Tipo de célula Doble puerta | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.3V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, RoHS | ||
Corriente de suministro 15mA | ||
Serie SST25VF | ||
Estándar de automoción No | ||
La memoria flash serie de Microchip se ha mejorado con una frecuencia de funcionamiento mejorada para un menor consumo de potencia. La memoria flash serie SPI SST25VF080B se fabrica con la tecnología de superflash CMOS de alto rendimiento y propiedad de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de túneles de óxido grueso logran una mayor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con enfoques alternativos. Este dispositivo mejora significativamente el rendimiento y la fiabilidad, al tiempo que reduce el consumo de potencia.
Operaciones de lectura y escritura de tensión única: 2,7-3,6 V
Compatible con reloj SPI de 50 MHz
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Retención de datos superior a 100 años
Corriente de borrado y programa: 30 mA (máx.)
Corriente de lectura activa: 10 mA (típica)
Corriente en espera: 5 μA (típica)
Bloques de superposición uniformes de 32 Kbytes y 64 Kbytes
Tiempo de borrado del chip: 35 ms (típico)
Todos los dispositivos son conformes con RoHS
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