Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, CFI, SPI S25FL512SAGBHID10 512 MB, 64M x 8 bits, 4, 14.5 ns, BGA, 24 pines

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Código RS:
193-8764
Referência do fabricante:
S25FL512SAGBHID10
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Memoria flash

Tamaño de la memoria

512MB

Tipo de interfaz

CFI, SPI

Encapsulado

BGA

Número de pines

24

Organización

64M x 8 bits

Tipo de montaje

Superficie

Frecuencia del reloj máxima

133MHZ

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

1.65V

Tipo de temporización

Síncrono

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Altura

0.95mm

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8mm

Serie

S25FL512S

Estándar de automoción

AEC-Q100

Tiempo de acceso aleatorio máximo

14.5ns

Número de palabras

64M

Número de bancos

4

Número de bits por palabra

8

Este dispositivo se conecta a un sistema host a través de una interfaz periférica serie (SPI). Se admite la entrada y salida serie SPI de un solo bit (E/S o SIO) tradicional, así como comandos serie opcionales de dos bits (E/S doble o dio) y cuatro bits (E/S cuádruple o QIO). Esta interfaz de ancho múltiple se denomina SPI Multi-I/o O MIO. Además, la familia FL-S añade compatibilidad con comandos de lectura de velocidad de datos doble (DDR) para SIO, dio y QIO que transfieren direcciones y leen datos en ambos bordes del reloj. La arquitectura Eclipse incluye un búfer de programación de páginas que permite programar hasta 256 palabras (512 bytes) en una sola operación, lo que da como resultado una programación y borrado más faster y efectivos que los algoritmos de borrado o programa SPI de generación anterior. La ejecución de código directamente desde la memoria flash se suele llamar Execute-In-Place o XIP. Al utilizar dispositivos FL-S a las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR-QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, las memorias asíncronas Y flash, al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales. El producto S25FL512S ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rápido rendimiento requerido por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para remedo de código, XIP y almacenamiento de datos.

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