Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, SPI S25FL256LAGMFI000 256 MB, 32M x 8 bits, SOIC, 16 pines
- Código RS:
- 193-8737
- Referência do fabricante:
- S25FL256LAGMFI000
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256MB | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 16 | |
| Organización | 32M x 8 bits | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Altura | 2.55mm | |
| Anchura | 7.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | S25FL256 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Número de palabras | 32M | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256MB | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 16 | ||
Organización 32M x 8 bits | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 10.3mm | ||
Altura 2.55mm | ||
Anchura 7.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie S25FL256 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Número de palabras 32M | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
La familia FL-L se conecta a un sistema host a través de una interfaz periférica serie (SPI). La entrada y salida serie de un solo bit SPI tradicional (E/S única o SIO) es compatible, así como los comandos opcionales de dos bits (E/S doble o DIO) y de cuatro bits de E/S cuádruple (QIO) y de interfaz periférica cuádruple (QPI). Además, hay comandos de lectura de velocidad de datos doble (DDR) para QIO y QPI que transfieren direcciones y leen datos en ambos bordes del reloj. La arquitectura dispone de un búfer de programación de página que permite programar hasta 256 bytes en una sola operación y proporciona un sector individual de 4 KB, medio bloque de 32 KB, bloque de 64 KB o borrado de chip completo. Al utilizar dispositivos de la familia FL-L con velocidades de reloj más altas, con comandos cuádruples, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede coincidir o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias Flash NOR, al tiempo que reduce drásticamente el número de señales. Los productos de la familia FL-L ofrecen altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones móviles o integradas. Proporciona una solución de almacenamiento ideal para sistemas con espacio limitado, conexiones de señal y alimentación. Estas memorias ofrecen flexibilidad y rendimiento mucho más allá de los dispositivos flash serie ordinarios. Son ideales para sombrear código a RAM, ejecutar código directamente (XIP) y almacenar datos reprogramables.
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