Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N04GVBIAF 4 Gb, 512M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines
- Código RS:
- 188-2878
- Referência do fabricante:
- W29N04GVBIAF
- Fabricante:
- Winbond
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- Código RS:
- 188-2878
- Referência do fabricante:
- W29N04GVBIAF
- Fabricante:
- Winbond
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 4Gb | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | VFBGA | |
| Número de pines | 63 | |
| Organización | 512M x 8 bits | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de célula | NAND SLC | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Anchura | 11.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 11.1mm | |
| Altura | 600μm | |
| Corriente de suministro | 35mA | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 512M | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 25μs | |
| Serie | W29N04GV | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Winbond | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 4Gb | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado VFBGA | ||
Número de pines 63 | ||
Organización 512M x 8 bits | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de célula NAND SLC | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Anchura 11.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 11.1mm | ||
Altura 600μm | ||
Corriente de suministro 35mA | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 512M | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 25μs | ||
Serie W29N04GV | ||
Estándar de automoción No | ||
Density : 4Gbit (Single chip solution)
Vcc : 2.7V to 3.6V
Bus width : x8
Operating temperature
Industrial: -40°C to 85°C
Single-Level Cell (SLC) technology.
Organization
Density: 4G-bit/512M-byte
Page size
2,112 bytes (2048 + 64 bytes)
Block size
64 pages (128K + 4K bytes)
Highest Performance
Read performance (Max.)
Random read: 25us
Sequential read cycle: 25ns
Write Erase performance
Page program time: 250us(typ.)
Block erase time: 2ms(typ.)
Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)
10-years data retention
Command set
Standard NAND command set
Additional command support
Sequential Cache Read
Random Cache Read
Cache Program
Copy Back
Two-plane operation
Contact Winbond for OTP feature
Contact Winbond for Block Lock feature
Lowest power consumption
Read: 25mA(typ.)
Program/Erase: 25mA(typ.)
CMOS standby: 10uA(typ.)
Space Efficient Packaging
48-pin standard TSOP1
63-ball VFBGA
4Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.
Bus Width: x8
Random Read: 25us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)
Support OTP Memory Area
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