Referência do fabricante

Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N02GZBIBA 2 Gb, 256M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

Código RS:: 188-2874
Referência do fabricante:: W29N02GZBIBA
Fabricante:: Winbond

Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N02GZBIBA 2 Gb, 256M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Código RS:: 188-2874
Referência do fabricante:: W29N02GZBIBA
Fabricante:: Winbond

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Winbond
	Tamaño de la memoria	2Gb
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tipo de interfaz	Paralelo
	Encapsulado	VFBGA
	Número de pines	63
	Organización	256M x 8 bits
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de célula	NAND SLC
	Tensión de alimentación mínima	1.7V
	Tensión de alimentación máxima	1.95V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	0.6mm
	Anchura	11.1mm
	Longitud	11.1mm
	Corriente de suministro	20mA
	Número de bits por palabra	8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	25μs
	Número de palabras	256M
	Serie	W29N02GZ
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Winbond
	Tamaño de la memoria 2Gb
	Tipo de producto Memoria flash
	Tipo de interfaz Paralelo
	Encapsulado VFBGA
	Número de pines 63
	Organización 256M x 8 bits
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de célula NAND SLC
	Tensión de alimentación mínima 1.7V
	Tensión de alimentación máxima 1.95V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 0.6mm
	Anchura 11.1mm
	Longitud 11.1mm
	Corriente de suministro 20mA
	Número de bits por palabra 8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 25μs
	Número de palabras 256M
	Serie W29N02GZ
	Estándar de automoción No

Datasheet W29N02GZBIBA

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8 x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Industrial Plus: -40°C to 105°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command

Additional command suppo

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP f

Contact Winbond for Block

Lowest power consumption

Read: 13mA(typ.)

Program/Erase: 10mA(typ.)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

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