Winbond Memoria flash NAND SLC, Quad-SPI W25N01GWZEIG 1 Gb, 128M x 8 bits, 8 ns, WSON, 8 pines
- Código RS:
- 188-2811P
- Referência do fabricante:
- W25N01GWZEIG
- Fabricante:
- Winbond
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- Código RS:
- 188-2811P
- Referência do fabricante:
- W25N01GWZEIG
- Fabricante:
- Winbond
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | |
| Tamaño de la memoria | 1Gb | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | Quad-SPI | |
| Encapsulado | WSON | |
| Número de pines | 8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 104MHZ | |
| Tipo de célula | NAND SLC | |
| Tensión de alimentación máxima | 1.95V | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Corriente de suministro | 35mA | |
| Número de palabras | 128M | |
| Estándar de automoción | No | |
| Serie | W25N01GW | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 8ns | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Winbond | ||
Tamaño de la memoria 1Gb | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz Quad-SPI | ||
Encapsulado WSON | ||
Número de pines 8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 104MHZ | ||
Tipo de célula NAND SLC | ||
Tensión de alimentación máxima 1.95V | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Corriente de suministro 35mA | ||
Número de palabras 128M | ||
Estándar de automoción No | ||
Serie W25N01GW | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 8ns | ||
- COO (País de Origem):
- TW
1Gb Serial NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size and set Buffer Read Mode as default.
Page Read Time with ECC Enable: 50us
Page Program Time: 250us(typ.)
Block Erase Time: 2ms(typ.)
Support OTP Memory Area
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