Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo 2 Gb, 256M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
188-2808P
Referência do fabricante:
W29N02GVBIAA
Fabricante:
Winbond
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Marca

Winbond

Tipo de producto

Memoria flash

Tamaño de la memoria

2Gb

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

VFBGA

Número de pines

63

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

NAND SLC

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

11.1mm

Altura

0.6mm

Certificaciones y estándares

No

Número de palabras

256M

Número de bits por palabra

8

Estándar de automoción

No

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25μs

Serie

W29N02GV

Corriente de suministro

35mA

Density : 2Gbit (Single chip solution)

Vcc : 2.7V to 3.6V

Bus width : x8

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 2G-bit/256M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(2)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command set

Additional command support

Sequential Cache Read

Random Cache Read

Cache Program

Copy Back

Two-plane operation

Contact Winbond for OTP feature

Contact Winbond for block Lock feature

Lowest power consumption

Read: 25mA(typ.3V)

Program/Erase: 25mA(typ.3V)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

63-ball VFBGA

2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

Support OTP Memory Area

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