Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N01HZBINA 1 Gb, 128M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Código RS:
188-2785
Referência do fabricante:
W29N01HZBINA
Fabricante:
Winbond
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Marca

Winbond

Tamaño de la memoria

1Gb

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

Paralelo

Encapsulado

VFBGA

Número de pines

63

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de célula

NAND SLC

Tensión de alimentación máxima

1.95V

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

11.1mm

Altura

0.6mm

Número de bits por palabra

8

Corriente de suministro

25mA

Estándar de automoción

No

Número de palabras

128M

Serie

W29N01HZ

Tiempo de acceso aleatorio máximo

25μs

Density : 1Gbit (Single chip solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8 x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 1G-bit/128M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command s

Additional command support

Copy Back

Lowest power consumption

Read: 13 mA(typ.)

Program/Erase:10mA(typ)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

48-ball VFBGA

63-ball VFBGA

68-ball WLCSP

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

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