Referência do fabricante

Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N01HZBINA 1 Gb, 128M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

Código RS:: 188-2785
Referência do fabricante:: W29N01HZBINA
Fabricante:: Winbond

Winbond Memoria flash NAND SLC, Paralelo W29N01HZBINA 1 Gb, 128M x 8 bits, 25 μs, VFBGA, 63 pines

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Código RS:: 188-2785
Referência do fabricante:: W29N01HZBINA
Fabricante:: Winbond

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Winbond
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tamaño de la memoria	1Gb
	Tipo de interfaz	Paralelo
	Encapsulado	VFBGA
	Número de pines	63
	Organización	128M x 8 bits
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de célula	NAND SLC
	Tensión de alimentación máxima	1.95V
	Tensión de alimentación mínima	1.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Longitud	11.1mm
	Altura	600μm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	11.1mm
	Estándar de automoción	No
	Serie	W29N01HZ
	Número de bits por palabra	8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	25μs
	Corriente de suministro	25mA
	Número de palabras	128M

	Selecionar tudo
	Marca Winbond
	Tipo de producto Memoria flash
	Tamaño de la memoria 1Gb
	Tipo de interfaz Paralelo
	Encapsulado VFBGA
	Número de pines 63
	Organización 128M x 8 bits
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de célula NAND SLC
	Tensión de alimentación máxima 1.95V
	Tensión de alimentación mínima 1.7V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Longitud 11.1mm
	Altura 600μm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 11.1mm
	Estándar de automoción No
	Serie W29N01HZ
	Número de bits por palabra 8
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 25μs
	Corriente de suministro 25mA
	Número de palabras 128M

Datasheet W29N01HZBINA

Density : 1Gbit (Single chip solution)

Vcc : 1.7V to 1.95V

Bus width : x8 x16

Operating temperature

Industrial: -40°C to 85°C

Single-Level Cell (SLC) technology.

Organization

Density: 1G-bit/128M-byte

Page size

2,112 bytes (2048 + 64 bytes)

1,056 words (1024 + 32 words)

Block size

64 pages (128K + 4K bytes)

64 pages (64K + 2K words)

Highest Performance

Read performance (Max.)

Random read: 25us

Sequential read cycle: 25ns

Write Erase performance

Page program time: 250us(typ.)

Block erase time: 2ms(typ.)

Endurance 100,000 Erase/Program Cycles(1)

10-years data retention

Command set

Standard NAND command s

Additional command support

Copy Back

Lowest power consumption

Read: 13 mA(typ.)

Program/Erase:10mA(typ)

CMOS standby: 10uA(typ.)

Space Efficient Packaging

48-pin standard TSOP1

48-ball VFBGA

63-ball VFBGA

68-ball WLCSP

1Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size.

Bus Width: x8

Random Read: 25us

Page Program Time: 250us(typ.)

Block Erase Time: 2ms(typ.)

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