Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, SPI S25FL256LAGBHV020 256 MB, 32M x 8 bits, 8 ns, BGA, 24 pines
- Código RS:
- 184-0071
- Referência do fabricante:
- S25FL256LAGBHV020
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 256MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | BGA | |
| Número de pines | 24 | |
| Organización | 32M x 8 bits | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 133MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tipo de temporización | Síncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 105°C | |
| Anchura | 6mm | |
| Altura | 0.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Número de palabras | 32M | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 8ns | |
| Serie | S25FL256L | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 256MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado BGA | ||
Número de pines 24 | ||
Organización 32M x 8 bits | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 133MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tipo de temporización Síncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 105°C | ||
Anchura 6mm | ||
Altura 0.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Número de palabras 32M | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 8ns | ||
Serie S25FL256L | ||
- COO (País de Origem):
- US
Serial Peripheral Interface (SPI) with Multi-I/O
Clock polarity and phase modes 0 and 3
Double Data Rate (DDR) option
Quad peripheral Interface (QPI) option
Extended Addressing: 24- or 32-bit address options
Serial Command subset and footprint compatible with S25FL-A, S25FL1-K, S25FL-P, S25FL-S and S25FS-S SPI families
Multi I/O Command subset and footprint compatible with S25FL-P, S25FL-S and S25FS-S SPI families
Read
Commands: Normal, Fast, Dual I/O, Quad I/O, DualO,QuadO, DDR Quad I/O.
Modes: Burst Wrap, Continuous (XIP), QPI
Serial Flash Discoverable Parameters (SFDP) for configuration information.
Program Architecture
256 Bytes Page Programming buffer
3.0 V FL-L Flash Memory
Program suspend and resume
Erase Architecture
Uniform 4 KB Sector Erase
Uniform 32 KB Half Block Erase
Uniform 64 KB Block Erase
Chip erase
Erase suspend and resume
100,000 Program/Erase Cycles, minimum
20 Year Data Retention, minimum
Security features
Status and Configuration Register Protection
Four Security Regions of 256 bytes each outside the main
Flash array
Legacy Block Protection: Block range
Individual and Region Protection
Individual Block Lock: Volatile individual Sector/Block
Pointer Region: Non-Volatile Sector/Block range
Power Supply Lock-down, Password, or Permanent protection of Security Regions 2 and 3 and Pointer Region
Technology
65 nm Floating Gate Technology
Single Supply Voltage with CMOS I/O
2.7 V to 3.6 V
Packages (all Pb-free)
8-pin SOIC 208 mil (SOC008) — S25FL128L only
WSON 5 x 6 mm (WND008) — S25FL128L only
WSON 6 x 8 mm (WNG008) — S25FL256L only
16-pin SOIC 300 mil (SO3016)
BGA-24 6 x 8 mm
5 x 5 ball (FAB024) footprint
4 x 6 ball (FAC024) footprint
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