Memoria flash, Serie SPI SST25VF080B-50-4I-S2AE 8Mbit, 1M x 8 bit, 8ns, SOIC, 8 pines

Los dispositivos SST25VF080B están mejorados con frecuencia de funcionamiento mejorada para un menor consumo de potencia. Las memorias Flash serie SPI SST25VF080B están fabricadas con tecnología CMOS SuperFlash de altas prestaciones propia de SST. El diseño de celda de puerta dividida y el inyector de tunelización de óxido grueso obtienen mejor fiabilidad y capacidad de fabricación en comparación con los enfoques alternativos.

Operaciones de lectura y escritura de tensión simple: 2,7 - 3,6 V
Arquitectura de interfaz serie
Compatible con reloj SPI de 50 MHz (80 MHz ya no está disponible)
Fiabilidad superior
Bajo consumo de energía:
Disminuye el tiempo de programación de chip total en operaciones de programa de bytes
Detección de final de escritura
Sondeo de software de bit OCUPADO en registro de estado
Lectura de estado de ocupado en contacto SO en modo AAI
Contacto de retención (HOLD#)
Suspende una secuencia de serie en la memoria sin anular la selección del dispositivo
Protección contra escritura (WP#)
Activa/desactiva la función de bloqueo del registro de estado
Software de protección contra escritura
Protección contra escritura mediante bits de protección de bloque en el registro de estado