Referência do fabricante

Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF040-70-4C-NHE 4 MB, 70 ns, PLCC, 32 pines

Código RS:: 145-8975
Referência do fabricante:: SST39SF040-70-4C-NHE
Fabricante:: Microchip

Microchip Memoria flash Doble puerta, Paralelo SST39SF040-70-4C-NHE 4 MB, 70 ns, PLCC, 32 pines

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Código RS:: 145-8975
Referência do fabricante:: SST39SF040-70-4C-NHE
Fabricante:: Microchip

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Microchip
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tamaño de la memoria	4MB
	Tipo de interfaz	Paralelo
	Encapsulado	PLCC
	Número de pines	32
	Tipo de montaje	Superficie
	Tipo de célula	Doble puerta
	Tensión de alimentación máxima	5.5V
	Tensión de alimentación mínima	4.5V
	Tipo de temporización	Asíncrono
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	0°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	70°C
	Anchura	11.51mm
	Longitud	14.05mm
	Altura	2.84mm
	Certificaciones y estándares	No
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	70ns
	Corriente de suministro	25mA
	Número de bits por palabra	8
	Serie	SST39
	Número de palabras	512K
	Estándar de automoción	No

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	Marca Microchip
	Tipo de producto Memoria flash
	Tamaño de la memoria 4MB
	Tipo de interfaz Paralelo
	Encapsulado PLCC
	Número de pines 32
	Tipo de montaje Superficie
	Tipo de célula Doble puerta
	Tensión de alimentación máxima 5.5V
	Tensión de alimentación mínima 4.5V
	Tipo de temporización Asíncrono
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 70°C
	Anchura 11.51mm
	Longitud 14.05mm
	Altura 2.84mm
	Certificaciones y estándares No
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns
	Corriente de suministro 25mA
	Número de bits por palabra 8
	Serie SST39
	Número de palabras 512K
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040

Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.

Características

Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V

Duración: 100.000 ciclos (típico)

Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)

Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes

Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns

Tiempo de borrado de sector: 18 ms

Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)

Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)

Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)

Datos y direcciones con bloqueo

Temporización de escritura automática: generación interna de VPP

Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos

Compatibilidad con E/S TTL

JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM

Memoria FLASH de Microchip

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