Delkin Devices Módulo Conductor NAND, PCIe Gen 3 MP2TFTWMN-80000-2 2 TB

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Código RS:
763-245
Referência do fabricante:
MP2TFTWMN-80000-2
Fabricante:
Delkin Devices
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Marca

Delkin Devices

Tamaño de la memoria

2TB

Tipo de producto

Módulo Conductor

Tipo de interfaz

PCIe Gen 3

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tipo de célula

NAND

Tensión de alimentación mínima

3.14V

Tensión de alimentación máxima

3.46V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Longitud

80mm

Altura

3.8mm

Anchura

22mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

Serie

M.2 2280 Industrial PCIe SSD

COO (País de Origem):
TW
El SSD industrial PCIe M.2 2280 de Delkin Devices está diseñado para soluciones de almacenamiento de alto rendimiento, ofreciendo capacidades avanzadas adaptadas a aplicaciones industriales. Con una interfaz PCIe Gen 3 x 4, esta unidad de estado sólido proporciona velocidades de lectura excepcionales de hasta 2450 MB/s y velocidades de escritura de 1900 MB/s. Su estructura robusta garantiza un funcionamiento fiable en un amplio rango de temperaturas, lo que lo hace adecuado para entornos exigentes. La unidad admite varias tecnologías, incluidas ECC y TRIM, para mantener la integridad de los datos y mejorar el rendimiento. Con capacidades de 128 GB a 2 TB, esta unidad SSD es una opción versátil para los usuarios que necesitan un almacenamiento eficiente, seguro y duradero.

Compatible con NVMe 1.3d para un rendimiento de alta velocidad

La comprobación de paridad de baja densidad (LDPC) ECC garantiza la precisión y la integridad de los datos

La memoria caché SLC dinámica mejora el rendimiento de lectura y escritura

La tecnología de nivelación de desgaste maximiza la vida útil al distribuir ciclos de escritura de manera uniforme

Rango de temperaturas: el funcionamiento y el almacenamiento de -40 °C a 85 °C garantizan la fiabilidad en condiciones extremas

Admite borrado seguro, lo que protege los datos sensibles antes de la eliminación

La gestión de bloques incorrectos minimiza el riesgo de pérdida de datos al evitar áreas de memoria no utilizables

Resistencia de hasta 2400 terabytes escritos (TBW) para mayor durabilidad y longevidad

Dispone de AES/TCG OPAL para mejorar la seguridad en el almacenamiento de datos

Cumple la directiva RoHS, lo que promueve la sostenibilidad medioambiental

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