FRAM Infineon FM24VN10-G, 8 pines, SOIC-8, I2C, 1 MB, 128K x 8 bits, 3.6V, 2 V
- Código RS:
- 273-7382
- Referência do fabricante:
- FM24VN10-G
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7382
- Referência do fabricante:
- FM24VN10-G
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 1MB | |
| Organización | 128K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | I2C | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 3.4MHZ | |
| Encapsulado | SOIC-8 | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de palabras | 128k | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 1MB | ||
Organización 128K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz I2C | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 3.4MHZ | ||
Encapsulado SOIC-8 | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de palabras 128k | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 1 Mbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, las sobrecargas y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin la necesidad de transmitir datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.
Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Interfaz serial rápida de 2 cables
Alta resistencia con 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
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