FRAM Infineon, 28 pines, SOIC-28, Paralelo, 64 kB, 8K x 8 bits, 70 ns, 5.5V, 2.7 V
- Código RS:
- 273-7375
- Referência do fabricante:
- FM16W08-SG
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7375
- Referência do fabricante:
- FM16W08-SG
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 64kB | |
| Organización | 8K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Encapsulado | SOIC-28 | |
| Número de pines | 28 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Número de palabras | 8K | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 64kB | ||
Organización 8K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Encapsulado SOIC-28 | ||
Número de pines 28 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Número de palabras 8K | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Estándar de automoción No | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 8 K x 8 que lee y escribe de manera similar a una SRAM estándar. Una memoria ferroeléctrica de acceso aleatorio o FRAM es no volátil, lo que significa que los datos se conservan después de retirar la alimentación. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina las preocupaciones de fiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades de diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería. El tiempo de escritura rápido y la alta resistencia a la escritura hacen que la FRAM sea superior a otros tipos de memoria. Su funcionamiento es similar al de otros dispositivos de RAM y, por lo tanto, se puede utilizar como sustitución en caso de caída para una SRAM estándar en un sistema. Los tiempos mínimos de ciclo de lectura y escritura son iguales. La memoria FRAM es no volátil gracias a su exclusivo proceso de memoria ferroeléctrica.
Bajo consumo de potencia
Compatible con SRAM y EEPROM
Alta resistencia: 100 billones de lecturas y escrituras
Proceso ferroeléctrico avanzado de alta fiabilidad
Excelente para la humedad y los golpes con vibración
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